惠普存储：P4900全闪存阵列趁势而来
发表于 ： 2012年 4月 19日 23:39 星期四
惠普存储：P4900全闪存阵列趁势而来
如今，服务器技术的快速发展对存储性能和吞吐量提出了更高的要求，而虚拟化对服务器的利用率提升则进一步提升了这种要求，因此需要同时扩展的存储容量和性能以避免I/O瓶颈的发生，正是这样的市场需求让全闪存存储产品趁势而来，3月28日惠普推出的LeftHand全闪存阵列P4900方案拉开闪存战略的大幕。
就惠普Gen8服务器而言，据悉在存储方面采用一个6Gbps嵌入式SAS控制器，可从使用SAS 15000转速硬盘改为SAS SSD盘，新的控制器所提供的性能时前一代控制器的6倍。在存储应用层面，惠普的策略主要涉及Gen8 Smart Array RAID控制器，该控制器使用SSD和称为动态工作负载加速的缓存算法。而全闪存阵列P4900的推出似乎由Gen8服务器带动而率先拉开闪存战略的第一阶段较量。
惠普P4900 G2 LeftHand全闪存iSCSI阵列新品的推出，可以说在闪存存储行业有一个亮点，再与惠普亚太和日本地区存储产品部首席技术专家Paul Haverfield先生和中国惠普有限公司存储产品部高级业务拓展经理刘洋先生的深度交流中，进一步对全闪存产品特性以及闪存战略应用详细解析。
据悉，P4900与其他P4000产品一样，属于Scale-out(横向扩展)阵列，最多32个可以一起组成集群，由SSD组成的固态存储层，面向需要高性能/低延迟的业务应用。双节点的P4900基本系统就能提供70,000 IOPS，而后每增加一个节点性能就可以按照+35,000 IOPS这样的线性提升。
根据内部的测试，在8KB、100%随机读取测试中，2节点P4900解决方案可以以3毫秒响应时间提供70,000 IOPS。而配备SAS硬盘的24节点P4500解决方案可以以30毫秒响应时间提供70,000 IOPS，同时3ms的延时只有后者（30ms）的1/10，还能够大大节约机架空间、功耗和冷却方面的成本。
从性能规格方面，P4900有双节点6.4TB以及单节点3.2TB扩展单元两种配置，采用的是企业级2bit MLC闪存，6.4TB版本采用16个400GB SSD，3.2TB版本则采用8个400GB SSD，与传统双控制器存储阵列相比，系统中每增加一个节点，其性能线性扩展和更高的IOPS。
另外，每个P4900节点有2个active-active控制器和4个P410 RAID控制器，支持最多64个1GbE或者10GbE主机接口，同时P4900增加了一项SSD新特性“HP SMARTSSD Wear Gauge” 监测固态硬盘生命周期的消耗比例、生命周期的剩余情况并发出生命周期终止的通知。
Haverfield表示，以性能为主导的P4900非常适合于虚拟桌面基础架构(VDI)和在线交易处理数据库这样要求高IOPS的环境，以应对VDI启动风暴和提供高速数据访问。
正如之前所说，惠普在发布Gen8 ProLiant服务器的同时也在规划推出集成到存储中的服务器闪存卡，所不同的是惠普同时拥有存储和服务器技术，可以更加深度地将基于服务器的闪存卡技术与服务器和存储融合到一起。
据展示资料显示，P4900服务器节点配置了一颗6核心的Xeon 5670处理器，而P4300和P4500系列都是4核Xeon 5520处理器产品，同时iSCSI主机接口方面，双节点的P4900标配是4个10GbE（万兆以太网）和4个千兆，而P4300和P4500在标配下只有千兆。
惠普存储产品部高级业务拓展经理刘洋也谈到，全新HP LeftHand P4900存储提供固态盘的性能且避免了控制器瓶颈。随着工作负载的增加，它能够在保持应用在线情况下，同时扩展容量和性能。
另外，由于容量优化的SAN存储系统，能够实现灵活的自动分层存储，轻松添加固态硬盘节点至现有LeftHand集群，无需停机、数据迁移等特别规划或管理，使得P4900适用于各种规模的企业，就意味着当客户有不同需求时，全闪存存储P4900提供更为灵活的配置方案。
而惠普最新的产品技术和解决方案杀入市场，不仅带给用户全新灵活的方案，同时在客户对于融合存储的需求不断提升的背景下，惠普希望把更好的融合解决方案通过合作伙伴带到市场中去，从而改变只是单纯的硬件平台的服务模式。
“融合基础架构”是惠普2010年以来着力推动的市场策略，融合存储是存储的未来，融合存储在面对虚拟化、云以及数据的爆炸性增长的挑战下，打破SAN、NAS统一存储界限，并且能够实现数据服务有效地向外的扩展。未来融合战略在惠普下一阶段闪存战略促使下，将实现在中国存储市场上的突破。
如今，服务器技术的快速发展对存储性能和吞吐量提出了更高的要求，而虚拟化对服务器的利用率提升则进一步提升了这种要求，因此需要同时扩展的存储容量和性能以避免I/O瓶颈的发生，正是这样的市场需求让全闪存存储产品趁势而来，3月28日惠普推出的LeftHand全闪存阵列P4900方案拉开闪存战略的大幕。
就惠普Gen8服务器而言，据悉在存储方面采用一个6Gbps嵌入式SAS控制器，可从使用SAS 15000转速硬盘改为SAS SSD盘，新的控制器所提供的性能时前一代控制器的6倍。在存储应用层面，惠普的策略主要涉及Gen8 Smart Array RAID控制器，该控制器使用SSD和称为动态工作负载加速的缓存算法。而全闪存阵列P4900的推出似乎由Gen8服务器带动而率先拉开闪存战略的第一阶段较量。
惠普P4900 G2 LeftHand全闪存iSCSI阵列新品的推出，可以说在闪存存储行业有一个亮点，再与惠普亚太和日本地区存储产品部首席技术专家Paul Haverfield先生和中国惠普有限公司存储产品部高级业务拓展经理刘洋先生的深度交流中，进一步对全闪存产品特性以及闪存战略应用详细解析。
据悉，P4900与其他P4000产品一样，属于Scale-out(横向扩展)阵列，最多32个可以一起组成集群，由SSD组成的固态存储层，面向需要高性能/低延迟的业务应用。双节点的P4900基本系统就能提供70,000 IOPS，而后每增加一个节点性能就可以按照+35,000 IOPS这样的线性提升。
根据内部的测试，在8KB、100%随机读取测试中，2节点P4900解决方案可以以3毫秒响应时间提供70,000 IOPS。而配备SAS硬盘的24节点P4500解决方案可以以30毫秒响应时间提供70,000 IOPS，同时3ms的延时只有后者（30ms）的1/10，还能够大大节约机架空间、功耗和冷却方面的成本。
从性能规格方面，P4900有双节点6.4TB以及单节点3.2TB扩展单元两种配置，采用的是企业级2bit MLC闪存，6.4TB版本采用16个400GB SSD，3.2TB版本则采用8个400GB SSD，与传统双控制器存储阵列相比，系统中每增加一个节点，其性能线性扩展和更高的IOPS。
另外，每个P4900节点有2个active-active控制器和4个P410 RAID控制器，支持最多64个1GbE或者10GbE主机接口，同时P4900增加了一项SSD新特性“HP SMARTSSD Wear Gauge” 监测固态硬盘生命周期的消耗比例、生命周期的剩余情况并发出生命周期终止的通知。
Haverfield表示，以性能为主导的P4900非常适合于虚拟桌面基础架构(VDI)和在线交易处理数据库这样要求高IOPS的环境，以应对VDI启动风暴和提供高速数据访问。
正如之前所说，惠普在发布Gen8 ProLiant服务器的同时也在规划推出集成到存储中的服务器闪存卡，所不同的是惠普同时拥有存储和服务器技术，可以更加深度地将基于服务器的闪存卡技术与服务器和存储融合到一起。
据展示资料显示，P4900服务器节点配置了一颗6核心的Xeon 5670处理器，而P4300和P4500系列都是4核Xeon 5520处理器产品，同时iSCSI主机接口方面，双节点的P4900标配是4个10GbE（万兆以太网）和4个千兆，而P4300和P4500在标配下只有千兆。
惠普存储产品部高级业务拓展经理刘洋也谈到，全新HP LeftHand P4900存储提供固态盘的性能且避免了控制器瓶颈。随着工作负载的增加，它能够在保持应用在线情况下，同时扩展容量和性能。
另外，由于容量优化的SAN存储系统，能够实现灵活的自动分层存储，轻松添加固态硬盘节点至现有LeftHand集群，无需停机、数据迁移等特别规划或管理，使得P4900适用于各种规模的企业，就意味着当客户有不同需求时，全闪存存储P4900提供更为灵活的配置方案。
而惠普最新的产品技术和解决方案杀入市场，不仅带给用户全新灵活的方案，同时在客户对于融合存储的需求不断提升的背景下，惠普希望把更好的融合解决方案通过合作伙伴带到市场中去，从而改变只是单纯的硬件平台的服务模式。
“融合基础架构”是惠普2010年以来着力推动的市场策略，融合存储是存储的未来，融合存储在面对虚拟化、云以及数据的爆炸性增长的挑战下，打破SAN、NAS统一存储界限，并且能够实现数据服务有效地向外的扩展。未来融合战略在惠普下一阶段闪存战略促使下，将实现在中国存储市场上的突破。