Intel 320系列与X25-M系列SSD规格对比
发表于 ： 2012年 2月 21日 20:36 星期二
如果你对intel的SSD感兴趣，下面信息或许对你有所帮助。
图片来自expreview
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Intel 320系列与X25-M系列SSD规格对比 从规格上来看，320系列（为方便陈述，将简称为G3）与上一代的产品相比，更换了25nm的MLC NAND芯片，SSD的容量有了更多的选择，最大可达到600GB。此外SSD的性能也得到了提升，最大连续写入速度可达170MB/s（实际速度会根据容量大小作出限制），4KB随机读写性能也提升到读取39.5K IOPS和写入23K IOPS，并加入了对AES-128密码算法的支持。同时可以看到功耗也略有提升，这主要是因为容量变化引起的。
Intel 320系列80GB SSD Intel 320系列80GB SSD的外观与之前的产品并没有太大差异，产品的出厂固件版本为0302，采用SATA 3Gbps接口，并没有更换带宽更高的SATA 6Gbps接口，这应该归因于Intel的市场策略。
Intel 320系列80GB SSD背部照片 拆掉铝制外壳后PCB正反照 拆开外壳后，SSD的PCB展现在我们眼前，正面10颗25nm的MLC NAND组成10条闪存通道，PCB反面留有了闪存芯片的焊位，大容量版本的产品就会在这里装上闪存芯片以扩充容量。
PC29AS21BA0主控芯片 PC29AS21BA0其实这就是X25-M的主控芯片，这么看来其实320系列是没有更换主控的，只是把34nm的NAND换成25nm的NAND，并且对电路做了一定的修改的产品。
IMFT的25nm工艺MLC NAND闪存芯片 320系列采用了25nm工艺的MLC NAND，25nm工艺的NAND有着更大的单颗容量，性能上也有一定的提升，不过其寿命从34nm NAND的5000次刷写下降为3000次刷写，这样厂家就需要更大的预留空间来延长SSD的寿命。
缓存使用Hynix的Mobile SD-RAM，容量为32MB 320系列的缓存芯片更换成了Hynix的Mobile SD-RAM，容量为32MB，缓存频率为166MHz，而上一代产品采用的是Micron的SD-RAM作为缓存。此外320系列在缓存附近增加了许多钽电容，这些钽电容的作用应该是用于防掉电保护的。
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Intel 320系列与X25-M系列SSD规格对比 从规格上来看，320系列（为方便陈述，将简称为G3）与上一代的产品相比，更换了25nm的MLC NAND芯片，SSD的容量有了更多的选择，最大可达到600GB。此外SSD的性能也得到了提升，最大连续写入速度可达170MB/s（实际速度会根据容量大小作出限制），4KB随机读写性能也提升到读取39.5K IOPS和写入23K IOPS，并加入了对AES-128密码算法的支持。同时可以看到功耗也略有提升，这主要是因为容量变化引起的。
Intel 320系列80GB SSD Intel 320系列80GB SSD的外观与之前的产品并没有太大差异，产品的出厂固件版本为0302，采用SATA 3Gbps接口，并没有更换带宽更高的SATA 6Gbps接口，这应该归因于Intel的市场策略。
Intel 320系列80GB SSD背部照片 拆掉铝制外壳后PCB正反照 拆开外壳后，SSD的PCB展现在我们眼前，正面10颗25nm的MLC NAND组成10条闪存通道，PCB反面留有了闪存芯片的焊位，大容量版本的产品就会在这里装上闪存芯片以扩充容量。
PC29AS21BA0主控芯片 PC29AS21BA0其实这就是X25-M的主控芯片，这么看来其实320系列是没有更换主控的，只是把34nm的NAND换成25nm的NAND，并且对电路做了一定的修改的产品。
IMFT的25nm工艺MLC NAND闪存芯片 320系列采用了25nm工艺的MLC NAND，25nm工艺的NAND有着更大的单颗容量，性能上也有一定的提升，不过其寿命从34nm NAND的5000次刷写下降为3000次刷写，这样厂家就需要更大的预留空间来延长SSD的寿命。
缓存使用Hynix的Mobile SD-RAM，容量为32MB 320系列的缓存芯片更换成了Hynix的Mobile SD-RAM，容量为32MB，缓存频率为166MHz，而上一代产品采用的是Micron的SD-RAM作为缓存。此外320系列在缓存附近增加了许多钽电容，这些钽电容的作用应该是用于防掉电保护的。